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    產品中心

    12位ADC OTP

    Part No. IRC VDD ILRC ROM RAM I/O TIMER STACK ADC PWM E2 Package
    HS26P10 16MHz 2.2~5.0V 32K 2K 128 6/12/14
    /16/18
    2*8bit 1*16bit 8 (5+1)*12bit 3*8bit - SOP8/SOP14
    /SOP16/SOP18
    /SOP20/DIP8
    /DIP14/DIP16
    /DIP18/DIP20
    /TSSOP20

    產品簡介:

           HS26P10是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個2K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。



    CPU特性:

            ◆ 除了跳轉指令2個指令周期外,其他指令都是一個指令周期

            ◆ 2K*16位片內ROM

            ◆ 可直接、間接尋址

            ◆ 3個8位定時器:

                  TC0:外部事件計數器/PWM0/ Buzzer輸出。

                  TC1:外部事件計數器/PWM1/ Buzzer輸出。 

                  TC2:外部事件計數器/PWM2/ Buzzer輸出 

            ◆  內置上電復位,掉電復位

            ◆  內置上電復位時間PWRT和振蕩器起振時間OSCT

            ◆  內置可預分頻WDT

            ◆  四種振蕩模式
                  內置高速振蕩器16MHz

                  內置低速振蕩器32K

                  外置高速晶體振蕩器4MHz~16MHz

                  外置低速晶體振蕩器32.768KHz

            ◆  一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆  128*8 bit SRAM

            ◆  3組標準雙向I/O端口

            ◆  8級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆  6種可用中斷

                  4個內部中斷:TC0、TC1、TC2、ADC

            ◆  2個外部中斷:INT0,INT1

            ◆  ADC

                  5個外部ADC輸入

                  1個內部電池檢測

                  內部AD參考電壓(VDD、4V、3V、2V)



    了解更多

    HS26P10E 16MHz 2.2~5.0V 32K 2K 128 6/14/16 2*8bit 1*16bit 8 (5+1)*12bit 3*8bit 256*8 SOP8/SOP16
    /SOP20

    產品簡介:

           HS26P10E是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個2K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。



    CPU特性:

            ◆   除了跳轉指令2個指令周期外,其他指令都是一個指令周期

            ◆   2K*16位片內ROM
            ◆   可直接、間接尋址
            ◆   3個8位定時器:

                    TC0:外部事件計數器/PWM0/ Buzzer輸出。

                    TC1:外部事件計數器/PWM1/ Buzzer輸出。 

                    TC2:外部事件計數器/PWM2/ Buzzer輸出 

            ◆  內置上電復位,掉電復位

            ◆  內置上電復位時間PWRT和振蕩器起振時間OSCT

            ◆  內置可預分頻WDT

            ◆  四種振蕩模式

                   內置高速振蕩器16MHz

                   內置低速振蕩器32K

                   外置高速晶體振蕩器4MHz~16MHz

                   外置低速晶體振蕩器32.768KHz

            ◆  一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出
            ◆  128*8 bit SRAM
            ◆  3組標準雙向I/O端口
            ◆  8級用于子程序嵌套的堆棧
            ◆  6種可用中斷

                   4個內部中斷:TC0、TC1、TC2、ADC

            ◆  2個外部中斷:INT0,INT1

            ◆  ADC

                   5個外部ADC輸入

                  1個內部電池檢測

                  內部AD參考電壓(VDD、4V、3V、2V)




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    HS26P003E 16MHz 2.2~5.0V 32K 2K 128 16 2*8bit 1*16bit 8 (5+1)*12bit 3*8bit 256*8 TSSOP20

    產品簡介:

           HS26P003E是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個2K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。



    CPU特性:

            ◆ 除了跳轉指令2個指令周期外,其他指令都是一個指令周期

            ◆  2K*16位片內ROM

            ◆  可直接、間接尋址

            ◆  3個8位定時器:

                  TC0:外部事件計數器/PWM0/ Buzzer輸出。

                  TC1:外部事件計數器/PWM1/ Buzzer輸出。 

                  TC2:外部事件計數器/PWM2/ Buzzer輸出 

            ◆  內置上電復位,掉電復位
            ◆  內置上電復位時間PWRT和振蕩器起振時間OSCT
            ◆  內置可預分頻WDT
            ◆  四種振蕩模式

                  內置高速振蕩器16MHz

                  內置低速振蕩器32K

                  外置高速晶體振蕩器4MHz~16MHz

                  外置低速晶體振蕩器32.768KHz

            ◆  一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出
            ◆  128*8 bit SRAM
            ◆  3組標準雙向I/O端口
            ◆  8級用于子程序嵌套的堆棧
            ◆  6種可用中斷

                   4個內部中斷:TC0、TC1、TC2、ADC

            ◆  2個外部中斷:INT0,INT1
            ◆  ADC

                   5個外部ADC輸入

                   1個內部電池檢測

                   內部AD參考電壓(VDD、4V、3V、2V)



    了解更多

    HS23P3022 16MHz 2.2~5.0V 32K 2K 128 6 2*8bit 1*16bit 8 (2+1)*12bit 3*8bit 256*8 SOP8

    產品簡介:

           HS23P3022是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個2K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。



    CPU特性:

            ◆ 除了跳轉指令2個指令周期外,其他指令都是一個指令周期

            ◆ 2K*16位片內ROM

            ◆  可直接、間接尋址

            ◆  3個8位定時器:

                  TC0:PWM0/ Buzzer輸出。

                  TC1:外部事件計數器/PWM1/ Buzzer輸出。 

                  TC2:PWM2/ Buzzer輸出 

            ◆  內置上電復位,掉電復位

            ◆  內置上電復位時間PWRT和振蕩器起振時間OSCT

            ◆  內置可預分頻WDT

            ◆  兩種振蕩模式

                  內置高速振蕩器16MHz

                  內置低速振蕩器32K

            ◆  一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆  128*8 bit SRAM

            ◆  3組標準雙向I/O端口

            ◆  8級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆  5種可用中斷

                   4個內部中斷:TC0、TC1、TC2、ADC

            ◆  1個外部中斷:INT1

            ◆  ADC

                   2個外部ADC輸入

                   1個內部電池檢測

                   內部AD參考電壓(VDD、4V、3V、2V)



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    HS23P2721 16MHz 2.2~5.0V 32K 2K 96 12 4*8bit 5 (5+1)*12bit 4*8bit - SOP14

    產品簡介:

           HS23P2721是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個12位的ADC,一個2K*16-bit的EPROM。



    CPU特性:

            ◆   除了跳轉指令2個指令周期外,其他指令都是一個指令周期

            ◆   2K*16位片內EPROM

            ◆  可直接、間接尋址

            ◆   4個8位定時器:

                  TC0:外部事件計數器/PWM0/ Buzzer輸出。

                  TC1:外部事件計數器/PWM1/ Buzzer輸出。 

                  TC2:外部事件計數器/PWM2/ Buzzer輸出 

                  TC3:外部事件計數器/PWM3(PWM占空比可配置為1/256)。

            ◆   內置上電復位,掉電復位

            ◆   內置上電復位時間PWRT和振蕩器起振時間OSCT

            ◆   內置可預分頻WDT

            ◆   兩種振蕩模式

                  內置高速振蕩器16MHz

                  內置低速振蕩器32K

            ◆   一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆   96*8 bit SRAM

            ◆   3組標準雙向I/O端口

            ◆   5級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆   7種可用中斷

                   5個內部中斷:TC0、TC1、TC2、TC3、ADC

            ◆   2個外部中斷:INT0,INT1

            ◆   ADC

                   5個外部ADC輸入

                   1個內部電池檢測

                   內部AD參考電壓(VDD、4V、3V、2V)

            ◆   內置可校準16MHz振蕩器(最大可配置為24MHz頻率,且頻率可通過寄存器軟件調節)



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    HS23P2711 16MHz 2.2~5.0V 32K 1K 96 12 4*8bit 5 (5+1)*12bit 4*8bit - SOP14

    產品簡介:

           HS23P2711是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個12位的ADC,一個1K*16-bit的EPROM。



    CPU特性:

            ◆   除了跳轉指令2個指令周期外,其他指令都是一個指令周期

            ◆   1K*16位片內EPROM

            ◆   可直接、間接尋址

            ◆   4個8位定時器:

                  TC0:外部事件計數器/PWM0/ Buzzer輸出。

                  TC1:外部事件計數器/PWM1/ Buzzer輸出。 

                  TC2:外部事件計數器/PWM2/ Buzzer輸出 

                  TC3:外部事件計數器/PWM3(PWM占空比可配置為1/256)。

            ◆   內置上電復位,掉電復位

            ◆   內置上電復位時間PWRT和振蕩器起振時間OSCT

            ◆   內置可預分頻WDT

            ◆   兩種振蕩模式

                  內置高速振蕩器16MHz

                  內置低速振蕩器32K

            ◆   一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆   96*8 bit SRAM

            ◆   3組標準雙向I/O端口

            ◆   5級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆   7種可用中斷

                   5個內部中斷:TC0、TC1、TC2、TC3、ADC

            ◆   2個外部中斷:INT0,INT1

            ◆   ADC

                   5個外部ADC輸入

                   1個內部電池檢測

                   內部AD參考電壓(VDD、4V、3V、2V)

            ◆   內置可校準16MHz振蕩器(最大可配置為24MHz頻率,且頻率可通過寄存器軟件調節)



    了解更多

    HS23P2710 16MHz 2.2~5.0V 32K 1K 96 6 4*8bit 5 (3+1)*12bit 4*8bit - SOP8

    產品簡介:

           HS23P2710是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個12位的ADC,一個1K*16-bit的EPROM,一個256Byte的EEPROM。



    CPU特性:

            ◆  除了跳轉指令2個指令周期外,其他指令都是一個指令周期

            ◆  1K*16位片內EPROM

            ◆  256Byte的EEPROM

            ◆  可直接、間接尋址

            ◆  4個8位定時器:

                  TC0:PWM0/ Buzzer輸出。

                  TC1:PWM1/ Buzzer輸出。 

                  TC2:PWM2/ Buzzer輸出 

                  TC3:PWM3(PWM占空比可配置為1/256)。

            ◆  內置上電復位,掉電復位

            ◆  內置上電復位時間PWRT和振蕩器起振時間OSCT

            ◆  內置可預分頻WDT

            ◆  兩種振蕩模式

                  內置高速振蕩器16MHz

                  內置低速振蕩器32K

            ◆  一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆  96*8 bit SRAM

            ◆  3組標準雙向I/O端口

            ◆  5級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆  5種可用中斷:TC0、TC1、TC2、TC3、ADC

            ◆  ADC

                   3個外部ADC輸入

                   1個內部電池檢測

                   內部AD參考電壓(VDD、4V、3V、2V)

            ◆  內置可校準16MHz振蕩器(最大可配置為24MHz頻率,且頻率可通過寄存器軟件調節)



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    HS23P3411 16MHz 2.2~5.0V 32K 2K 96 12 4*8bit 5 (5+1)*12bit 4*8bit - SOP14

    產品簡介:

           HS23P3411是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位霧化器專用芯片,它內部包含一個12位的ADC,一個2K*16-bit的EPROM。



    CPU特性:

            ◆  除了跳轉指令2個指令周期外,其他指令都是一個指令周期

            ◆  2K*16位片內EPROM

            ◆  可直接、間接尋址

            ◆  4個8位定時器:

                  TC0:外部事件計數器/PWM0/ Buzzer輸出。

                  TC1:外部事件計數器/PWM1/ Buzzer輸出。 

                  TC2:外部事件計數器/PWM2/ Buzzer輸出 

                  TC3:外部事件計數器/PWM3(PWM占空比可配置為1/256)。

            ◆  內置上電復位,掉電復位

            ◆  內置上電復位時間PWRT和振蕩器起振時間OSCT

            ◆  內置可預分頻WDT

            ◆  兩種振蕩模式

                  內置高速振蕩器16MHz

                  內置低速振蕩器32K

            ◆  一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆  96*8 bit SRAM

            ◆  3組標準雙向I/O端口

            ◆  5級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆  7種可用中斷

                   5個內部中斷:TC0、TC1、TC2、TC3、ADC

            ◆  2個外部中斷:INT0,INT1

            ◆  ADC

                   5個外部ADC輸入

                   1個內部電池檢測

                   內部AD參考電壓(VDD、4V、3V、2V)

            ◆  內置可校準16MHz振蕩器(最大可配置為24MHz頻率,且頻率可通過寄存器軟件調節)

            ◆  家居霧化器專用芯片



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    HS23P2710E 16MHz 2.2~5.0V 32K 1K 96 6 4*8bit 5 (3+1)*12bit 4*8bit 256*8 SOP8

    產品簡介:

           HS23P2710E是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個12位的ADC,一個1K*16-bit的EPROM,一個256Byte的EEPROM。



    CPU特性:

            ◆ 除了跳轉指令2個指令周期外,其他指令都是一個指令周期

            ◆  1K*16位片內EPROM

            ◆  256Byte的EEPROM

            ◆  可直接、間接尋址

            ◆  4個8位定時器:

                  TC0:PWM0/ Buzzer輸出。

                  TC1:PWM1/ Buzzer輸出。 

                  TC2:PWM2/ Buzzer輸出 

                  TC3:PWM3(PWM占空比可配置為1/256)。

            ◆  內置上電復位,掉電復位

            ◆  內置上電復位時間PWRT和振蕩器起振時間OSCT

            ◆  內置可預分頻WDT

            ◆  兩種振蕩模式

                  內置高速振蕩器16MHz

                  內置低速振蕩器32K

            ◆  一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆  96*8 bit SRAM

            ◆  3組標準雙向I/O端口

            ◆  5級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆  5種可用中斷:TC0、TC1、TC2、TC3、ADC

                  ADC

                   3個外部ADC輸入

                   1個內部電池檢測

                   內部AD參考電壓(VDD、4V、3V、2V)

            ◆  內置可校準16MHz振蕩器(最大可配置為24MHz頻率,且頻率可通過寄存器軟件調節)



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