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    產品中心

    學習型電路

    Part No. VDD Inbuilt RC ROM RAM I/O EEPROM Key type Package
    HS23P35E 2.2~3.6V 8MHz±1.0% 8K 512 14 256*8 T/M-KEY SOP16

    產品簡介:

            HS23P35E是采用高速低功耗CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個16K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM),內置了紅外學習電路。



    CPU特性:

            ◆ 寬工作電壓范圍:2.2V~3.6V (8M 2分頻)。

            ◆ 工作溫度范圍:-20℃~80℃

            ◆ 工作頻率范圍:

            內置RC 8MHz±2%

            系統時鐘源可配置選擇:Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16

            ◆ 16K*16-bit片內ROM

            ◆ 可直接、間接尋址

            ◆ 1個16位定時器TC0,做PWM、Buzzer時8位有效。

            ◆ 1個16位基本定時器T1

            ◆ 內置上電復位時間PWRT

            ◆ 內置WDT看門狗

            ◆ 內置可校準IRC振蕩器(8MHZ)

            ◆ 一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆ 512*8bits片內寄存器組(SRAM,一般寄存器)

            ◆ 3組雙向I/O端口

            ◆ 8級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆ 節能模式(SLEEP模式)

            ◆ 6種可用中斷:TC0、T0、外中斷、P0_P1端口變化中斷、P54端口變化中斷、P50端口變化中斷

            ◆ 內置紅外發射放大驅動電路

            ◆ 內部上電復位電路(POR)

            ◆ 內置低電壓檢測(LVD),用于欠壓復位(BOR)



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    HS23P36E 2.2~3.6V 8MHz±1.0% 8K 512 14 256*8 T/M-KEY SOP16

    產品簡介:

            HS23P36E是采用高速低功耗CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個16K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM),內置了紅外學習電路。



    CPU特性:

            ◆ 寬工作電壓范圍:2.2V~3.6V (8M 2分頻)。

            ◆ 工作溫度范圍:-20℃~80℃

            ◆ 工作頻率范圍:

            內置RC 8MHz±2%

            系統時鐘源可配置選擇:Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16

            ◆ 16K*16-bit片內ROM

            ◆ 可直接、間接尋址

            ◆ 1個16位定時器TC0,做PWM、Buzzer時8位有效。

            ◆ 1個16位基本定時器T1

            ◆ 內置上電復位時間PWRT

            ◆ 內置WDT看門狗

            ◆ 內置可校準IRC振蕩器(8MHZ)

            ◆ 一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆ 512*8bits片內寄存器組(SRAM,一般寄存器)

            ◆ 3組雙向I/O端口

            ◆ 8級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆ 節能模式(SLEEP模式)

            ◆ 6種可用中斷:TC0、T0、外中斷、P0_P1端口變化中斷、P54端口變化中斷、P50端口變化中斷

            ◆ 內置紅外發射放大驅動電路

            ◆ 內部上電復位電路(POR)

            ◆內置低電壓檢測(LVD),用于欠壓復位(BOR)



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    HS23P37E 2.2~3.6V 8MHz±1.0% 8K 512 13 256*8 T/M-KEY SOP16

    產品簡介:

            HS23P37E是采用高速低功耗CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個16K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM),內置了紅外學習電路。



    CPU特性:

            ◆ 寬工作電壓范圍:2.2V~3.6V (8M 2分頻)。

            ◆ 工作溫度范圍:-20℃~80℃

            ◆ 工作頻率范圍:

            內置RC 8MHz±2%

            系統時鐘源可配置選擇:Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16

            ◆ 16K*16-bit片內ROM

            ◆ 可直接、間接尋址

            ◆ 1個16位定時器TC0,做PWM、Buzzer時8位有效。

            ◆ 1個16位基本定時器T1

            ◆ 內置上電復位時間PWRT

            ◆ 內置WDT看門狗

            ◆ 內置可校準IRC振蕩器(8MHZ)

            ◆ 一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆ 512*8bits片內寄存器組(SRAM,一般寄存器)

            ◆ 3組雙向I/O端口

            ◆ 8級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆ 節能模式(SLEEP模式)

            ◆ 6種可用中斷:TC0、T0、外中斷、P0_P1端口變化中斷、P54端口變化中斷、P50端口變化中斷

            ◆ 內置紅外發射放大驅動電路

            ◆ 內部上電復位電路(POR)

            ◆ 內置低電壓檢測(LVD),用于欠壓復位(BOR)



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    HS23P46E 2.2~3.6V 8MHz±1.0% 16K 512 14 256*8 T/M-KEY SOP16

    產品簡介:

            HS23P46E 是采用高速低功耗 CMOS 工藝制造的 8 位單片機,它內部包含一個 16K*16-bit 的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM),一個 1K*8-bit 的 E2PROM,且內置了紅外學習電路。



    CPU特性:

            ◆ 寬工作電壓范圍:2.0V~3.6V(8MHz、2 分頻) 

            ◆ 工作溫度范圍:-20℃~80℃ 

            ◆ 工作頻率范圍:

            ◆ 內置 RC 8MHz±1.5%  

            ◆ 系統時鐘源可配置選擇:Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16  

            ◆ 16K*16 位片內 ROM 

            ◆ 可直接、間接尋址 

            ◆ 1 個 16 位定時器,做 PWM、Buzzer 及外部計數時 8 位有效。 

            ◆ TC0:外部事件計數器/PWM0/ Buzzer 輸出。 

            ◆ 3 組標準雙向 I/O 端口 

            ◆ 8 級用于子程序嵌套的堆棧 

            ◆ 3 中可用中斷 

            ◆ 2 個內部中斷:TC0、T0 

            ◆ 4 個外部中斷:INT0,P0_P1,P5.0,P5.4 

            ◆ 一個 16 位基本定時器 

            ◆ 內置紅外發射放大驅動電路 

            ◆ 內部上電復位電路(POR) 

            ◆ 內置低電壓檢測(LVD),用于欠壓復位(BOR)


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    HS23P46E64 2.2~3.6V 8MHz±1.0% 16K 512 14 8K*8 T/M-KEY SOP16

    產品簡介:

            HS23P46E64 是采用高速低功耗 CMOS 工藝制造的 8 位單片機,它內部包含一個 16K*16-bit 的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM),且內置了紅外學習電路。



    CPU特性:

            ◆ 寬工作電壓范圍:2.2V~3.6V (8M 2分頻)。

            ◆ 工作溫度范圍:-20℃~80℃ 

            ◆ 工作頻率范圍:

                  內置RC 8MHz±2%

                  系統時鐘源可配置選擇:Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16

            ◆ 16K*16-bit片內ROM

            ◆ 可直接、間接尋址

            ◆ 1個16位定時器TC0,做PWM、Buzzer時8位有效。

            ◆ 1個16位基本定時器T1

            ◆ 內置上電復位時間PWRT

            ◆ 內置WDT看門狗

            ◆ 內置可校準IRC振蕩器(8MHZ)

            ◆ 一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆ 512*8bits片內寄存器組(SRAM,一般寄存器)

            ◆ 3組雙向I/O端口

            ◆ 8級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆ 節能模式(SLEEP模式)

            ◆ 6種可用中斷:TC0、T0、外中斷、P0_P1端口變化中斷、P54端口變化中斷、P50端口變化中斷

            ◆ 內置紅外發射放大驅動電路

            ◆ 內部上電復位電路(POR)

            ◆ 內置低電壓檢測(LVD),用于欠壓復位(BOR)


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    HS23P4030 2.2~3.6V 8MHz±1.0% 4K 512 14 1024*8 T/M-KEY SOP16

    產品簡介:

            HS23P4030是采用高速低功耗CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個4K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM),和一個1K*8-bit的多次可編程電存儲器(MTP),內置了紅外學習電路。



    CPU特性:

            ◆ 寬工作電壓范圍:2.2V~3.6V (8M 2分頻),MTP燒寫和擦除是電壓2.5v以上。

            ◆ 工作溫度范圍:-20℃~80℃

            ◆ 工作頻率范圍:

                內置RC 8MHz±2%

                系統時鐘源可配置選擇:Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16、Fosc/32

            ◆ 4K*16-bit片內ROM

            ◆ 1K*8-bit片內MTP

            ◆ 可直接、間接尋址

            ◆ 1個16位定時器TC0,做PWM、Buzzer時8位有效。

            ◆ 1個16位基本定時器T1

            ◆ 內置上電復位時間PWRT

            ◆ 內置WDT看門狗

            ◆ 內置可校準IRC振蕩器(8MHZ)

            ◆ 一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆ 512*8bits片內寄存器組(SRAM,一般寄存器)

            ◆ 3組雙向I/O端口

            ◆ 8級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆ 節能模式(SLEEP模式)

            ◆ 6種可用中斷:TC0、T0、外中斷、P0_P1端口變化中斷、P54端口變化中斷、P50端口變化中斷

            ◆ 內置紅外發射放大驅動電路

            ◆ 內部上電復位電路(POR)

            ◆ 內置低電壓檢測(LVD),用于欠壓復位(BOR)



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    HS23P4072 2.2~3.6V 8MHz±1.0% 4K 512 14 1024*8 T/M-KEY SOP16

    產品簡介:

            HS23P4072是采用高速低功耗CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個4K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM),和一個1K*8-bit的多次可編程電存儲器(MTP),內置了紅外學習電路。



    CPU特性:

            ◆ 寬工作電壓范圍:2.2V~3.6V (8M 2分頻),MTP燒寫和擦除是電壓2.5v以上。

            ◆ 工作溫度范圍:-20℃~80℃

            ◆ 工作頻率范圍:

                內置RC 8MHz±2%

                系統時鐘源可配置選擇:Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16、Fosc/32

            ◆ 4K*16-bit片內ROM

            ◆ 1K*8-bit片內MTP

            ◆ 可直接、間接尋址

            ◆ 1個16位定時器TC0,做PWM、Buzzer時8位有效。

            ◆ 1個16位基本定時器T1

            ◆ 內置上電復位時間PWRT

            ◆ 內置WDT看門狗

            ◆ 內置可校準IRC振蕩器(8MHZ)

            ◆ 一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆ 512*8bits片內寄存器組(SRAM,一般寄存器)

            ◆ 3組雙向I/O端口

            ◆ 8級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆ 節能模式(SLEEP模式)

            ◆ 6種可用中斷:TC0、T0、外中斷、P0_P1端口變化中斷、P54端口變化中斷、P50端口變化中斷

            ◆ 內置紅外發射放大驅動電路

            ◆ 內部上電復位電路(POR)

            ◆ 內置低電壓檢測(LVD),用于欠壓復位(BOR)



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    HS23P4060 2.2~3.6V 8MHz±1.0% 4K 512 14 1024*8 T/M-KEY SOP16

    產品簡介:

            HS23P4060是采用高速低功耗CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個4K*16-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM),和一個1K*8-bit的多次可編程電存儲器(MTP),內置了紅外學習電路。



    CPU特性:

            ◆ 寬工作電壓范圍:2.2V~3.6V (8M 2分頻),MTP燒寫和擦除是電壓2.5v以上。

            ◆ 工作溫度范圍:-20℃~80℃

            ◆ 工作頻率范圍:

                內置RC 8MHz±2%

                系統時鐘源可配置選擇:Fosc/2、Fosc/4、Fosc/8、Fosc/16、Fosc/32

            ◆ 4K*16-bit片內ROM

            ◆ 1K*8-bit片內MTP

            ◆ 可直接、間接尋址

            ◆ 1個16位定時器TC0,做PWM、Buzzer時8位有效。

            ◆ 1個16位基本定時器T1

            ◆ 內置上電復位時間PWRT

            ◆ 內置WDT看門狗

            ◆ 內置可校準IRC振蕩器(8MHZ)

            ◆ 一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆ 512*8bits片內寄存器組(SRAM,一般寄存器)

            ◆ 3組雙向I/O端口

            ◆ 8級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆ 節能模式(SLEEP模式)

            ◆ 6種可用中斷:TC0、T0、外中斷、P0_P1端口變化中斷、P54端口變化中斷、P50端口變化中斷

            ◆ 內置紅外發射放大驅動電路

            ◆ 內部上電復位電路(POR)

            ◆ 內置低電壓檢測(LVD),用于欠壓復位(BOR)



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