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    產品中心

    普通紅外型電路

    Part No. VDD Inbuilt RC ROM RAM I/O Keys Package
    HS3068 2.0~3.6V 4MHz±1.0% 1K 40 6 25(T-KEY) SOP8

    產品簡介:

            HS3068是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(ROM)。有14位選項位可滿足用戶要求,其中的保護位可用來防止程序被讀出,由于有ROM,HS3068提供給用戶一個方便的開發和檢驗他們的程序的環境??捎米灾凭幾g器進行轉換。


    CPU特性:

            ◆ 寬工作電壓范圍:2.0V~3.6V

            ◆ 工作溫度范圍:0℃~80℃

            ◆ 工作頻率范圍:內置RC 4MHz±2%

            ◆ 低功耗:在休眠模式時為1uA

            ◆ 1K*14位片內ROM

            ◆ 一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆ 32*8bits片內寄存器組(SRAM,一般寄存器)

            ◆ 2組雙向標準I/O端口

            ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆ 節能模式(SLEEP模式)

            ◆ 每個指令周期為兩個時鐘周期,99.9%的指令為單周期指令

            ◆ T-MODE型模式時,最多可形成25個按鍵

            ◆ M-MODE型時,最多可形成16個按鍵

            ◆ 可以作為通用MCU使用

            ◆ 不可間接尋址

            ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒

            ◆ 驅動可選(240mA,280mA,340mA)

            ◆ 省電解電容可選。



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    HS9068 2.0~3.6V 4MHz±1.0% 1K 40 6 25(T-KEY) SOP8

    產品簡介:

            HS9068是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(ROM)。有14位選項位可滿足用戶要求,其中的保護位可用來防止程序被讀出,由于有ROM,HS9068提供給用戶一個方便的開發和檢驗他們的程序的環境??捎米灾凭幾g器進行轉換。


    CPU特性:

            ◆ 寬工作電壓范圍:2.0V~3.6V

            ◆ 工作溫度范圍:0℃~80℃

            ◆ 工作頻率范圍:內置RC 4MHz±2%

            ◆ 低功耗:在休眠模式時為1uA

            ◆ 1K*14位片內ROM

            ◆ 一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆ 32*8bits片內寄存器組(SRAM,一般寄存器)

            ◆ 2組雙向標準I/O端口

            ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆ 節能模式(SLEEP模式)

            ◆ 每個指令周期為兩個時鐘周期,99.9%的指令為單周期指令

            ◆ T-MODE型模式時,最多可形成25個按鍵

            ◆ M-MODE型時,最多可形成16個按鍵

            ◆ 可以作為通用MCU使用

            ◆ 不可間接尋址

            ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒

            ◆ 驅動可選(240mA,280mA,340mA)

            ◆ 省電解電容可選。


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    HS9060P 2.0~3.6V 4MHz±1.0% 1K 40 8 42(T-KEY) ESSOP10

    產品簡介:

            該芯片采用 OTP 工藝制造,高性能、低功耗紅外發射電路,T-KEY 三角矩陣鍵盤,最多可組成 52 個按鍵。除了能實現 50 多種常用基本碼型外,還可實現一些特殊碼型。配合 HS9060P 開發軟件及燒寫器,可極大提高用戶產品開發質量,縮短開發周期。


    CPU特性:

            ◆ 低靜態電流:<2uA

            ◆ 工作電壓范圍寬:2.0V~3.6V

            ◆ 外部線路元器件少

            ◆ 支持內置或外接三極管驅動發射頭

            ◆ 內置振蕩電路,誤差<=±1.5%

            ◆ 軟件編程容易,開發效率高

            ◆ 發碼驅動 500mA(3V0.2VDD)

            ◆ ESSSOP10 封裝



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    HS9064P 2.0~3.6V 4MHz±1.0% 1K 40 12 88(T-KEY) SOP14

    產品簡介:

            HS9064P是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿足用戶要求,其中的保護位可用來防止程序被讀出,由于有OTP-ROM,HS9064P提供給用戶一個方便的開發和檢驗他們的程序的環境??捎米灾凭幾g器進行轉換。


    CPU特性:

            ◆ 寬工作電壓范圍:2.0V~3.6V

            ◆ 工作溫度范圍:0℃~80℃

            ◆ 工作頻率范圍:內置RC 4MHz±2%

            ◆ 低功耗:在休眠模式時為1uA

            ◆ 1K*14位片內ROM

            ◆ 一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆ 40*8bits片內寄存器組(SRAM,一般寄存器)

            ◆ 2組雙向標準I/O端口

            ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆ 節能模式(SLEEP模式)

            ◆ 每個指令周期為兩個時鐘周期,99.9%的指令為單周期指令

            ◆ T-MODE型模式時,最多可形成88(11*10/2+11+11+11)個按鍵

            ◆ M-MODE型時,最多可形成36(6*5+6)個按鍵

            ◆ 可以作為通用MCU使用

            ◆ 不可間接尋址

            ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒

            ◆ 驅動可選(300mA~500mA)

            ◆ 省電解電容可選。



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    HS3000P 2.0~3.6V 4MHz±1.0% 0.5K 40 14 91(T-KEY) SOP16

    產品簡介:

            HS3000P是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿足用戶要求,其中的保護位可用來防止程序被讀出,由于有OTP-ROM,HS3000P提供給用戶一個方便的開發和檢驗他們的程序的環境??捎米灾凭幾g器進行轉換。


    CPU特性:

            ◆ 寬工作電壓范圍:2.0V~3.6V

            ◆ 工作溫度范圍:0℃~80℃

            ◆ 工作頻率范圍:內置RC 4MHz±2%

            ◆ 低功耗:在休眠模式時為1uA

            ◆ 1K*14位片內ROM

            ◆ 一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆ 40*8bits片內寄存器組(SRAM,一般寄存器)

            ◆ 2組雙向標準I/O端口

            ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆ 節能模式(SLEEP模式)

            ◆ 每個指令周期為兩個時鐘周期,99.9%的指令為單周期指令

            ◆ T-MODE型模式時,最多可形成91個按鍵

            ◆ M-MODE型時,最多可形成49(6*7+7)個按鍵

            ◆ 可以作為通用MCU使用

            ◆ 不可間接尋址

            ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒

            ◆ 驅動可選(300mA~500mA)

            ◆ 省電解電容可選。



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    HS9000P 2.0~3.6V 4MHz±1.0% 0.5K 40 14 91(T-KEY) SOP16

    產品簡介:

            HS9000P是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿足用戶要求,其中的保護位可用來防止程序被讀出,由于有OTP-ROM,HS9000P提供給用戶一個方便的開發和檢驗他們的程序的環境??捎米灾凭幾g器進行轉換。


    CPU特性:

            ◆ 寬工作電壓范圍:2.0V~3.6V

            ◆ 工作溫度范圍:0℃~80℃

            ◆ 工作頻率范圍:內置RC 4MHz±2%

            ◆ 低功耗:在休眠模式時為1uA

            ◆ 1K*14位片內ROM

            ◆ 一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆ 40*8bits片內寄存器組(SRAM,一般寄存器)

            ◆ 2組雙向標準I/O端口

            ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆ 節能模式(SLEEP模式)

            ◆ 每個指令周期為兩個時鐘周期,99.9%的指令為單周期指令

            ◆ T-MODE型模式時,最多可形成91個按鍵

            ◆ M-MODE型時,最多可形成49(6*7+7)個按鍵

            ◆ 可以作為通用MCU使用

            ◆ 不可間接尋址

            ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒

            ◆ 驅動可選(300mA~500mA)

            ◆ 省電解電容可選。



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    HS2303-P 2.0~3.6V 4MHz±1.0% 1K 40 14 91(T-KEY) SOP16

    產品簡介:

            HS2303-P是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿足用戶要求,其中的保護位可用來防止程序被讀出,由于有OTP-ROM,HS2303-P提供給用戶一個方便的開發和檢驗他們的程序的環境??捎米灾凭幾g器進行轉換。


    CPU特性:

            ◆ 寬工作電壓范圍:2.0V~3.6V

            ◆ 工作溫度范圍:0℃~70℃

            ◆ 工作頻率范圍:內置RC 4MHz±2%

            ◆ 低功耗:在休眠模式時為1uA

            ◆ 1K*14位片內ROM

            ◆ 一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆ 40*8bits片內寄存器組(SRAM,一般寄存器)

            ◆ 2組雙向標準I/O端口

            ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆ 節能模式(SLEEP模式)

            ◆ 每個指令周期為兩個時鐘周期,99.9%的指令為單周期指令

            ◆ T-MODE型模式時,最多可形成52 (8*7/2+8+8+8)個按鍵

            ◆ M-MODE型時,最多可形成20(4*4+4)個按鍵

            ◆ 可以作為通用MCU使用

            ◆ 不可間接尋址

            ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒

            ◆ 驅動可選(240mA,280mA,340mA)

            ◆ 省電解電容可選。



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    HS2313-P 2.0~3.6V 4MHz±1.0% 2K 32 14 91(T-KEY) SOP16

    產品簡介:

            HS2313-P是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿足用戶要求,其中的保護位可用來防止程序被讀出,由于有OTP-ROM,HS2303-P提供給用戶一個方便的開發和檢驗他們的程序的環境??捎米灾凭幾g器進行轉換。


    CPU特性:

            ◆ 寬工作電壓范圍:2.0V~3.6V

            ◆ 工作溫度范圍:0℃~70℃

            ◆ 工作頻率范圍:內置RC 4MHz±2%

            ◆ 低功耗:在休眠模式時為1uA

            ◆ 1K*14位片內ROM

            ◆ 一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆ 40*8bits片內寄存器組(SRAM,一般寄存器)

            ◆ 2組雙向標準I/O端口

            ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆ 節能模式(SLEEP模式)

            ◆ 每個指令周期為兩個時鐘周期,99.9%的指令為單周期指令

            ◆ T-MODE型模式時,最多可形成52 (8*7/2+8+8+8)個按鍵

            ◆ M-MODE型時,最多可形成20(4*4+4)個按鍵

            ◆ 可以作為通用MCU使用

            ◆ 不可間接尋址

            ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒

            ◆ 驅動可選(240mA,280mA,340mA)

            ◆ 省電解電容可選。



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    HS9100-T 2.0~3.6V 4MHz±1.0% 1K 40 14 91(T-KEY) SOP16

    產品簡介:

            HS9100-T是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個1K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿足用戶要求,其中的保護位可用來防止程序被讀出,由于有OTP-ROM,HS9100-T提供給用戶一個方便的開發和檢驗他們的程序的環境??捎米灾凭幾g器進行轉換。


    CPU特性:

            ◆ 寬工作電壓范圍:2.0V~3.6V

            ◆ 工作溫度范圍:0℃~80℃

            ◆ 工作頻率范圍:內置RC 4MHz±2%

            ◆ 低功耗:在休眠模式時為1uA

            ◆ 1K*14位片內ROM

            ◆ 一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆ 40*8bits片內寄存器組(SRAM,一般寄存器)

            ◆ 2組雙向標準I/O端口

            ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆ 節能模式(SLEEP模式)

            ◆ 每個指令周期為兩個時鐘周期,99.9%的指令為單周期指令

            ◆ T-MODE型模式時,最多可形成91個按鍵

            ◆ M-MODE型時,最多可形成49(6*7+7)個按鍵

            ◆ 可以作為通用MCU使用

            ◆ 不可間接尋址

            ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒

            ◆ 驅動可選(300mA~500mA)

            ◆ 省電解電容可選。



    了解更多

    HS9110-T 2.0~3.6V 4MHz±1.0% 2K 32 14 91(T-KEY) SOP16

    產品簡介:

            HS9110-T是采用低耗高速CMOS工藝制造的8位單片機,它內部包含一個2K*14-bit的一次性可編程只讀電存儲器(OTP-ROM)。有14位選項位可滿足用戶要求,其中的保護位可用來防止程序被讀出,由于有OTP-ROM,HS9110-T提供給用戶一個方便的開發和檢驗他們的程序的環境??捎米灾凭幾g器進行轉換。

    CPU特性:

            ◆ 寬工作電壓范圍:2.0V~3.6V

            ◆ 工作溫度范圍:0℃~80℃

            ◆ 工作頻率范圍:內置RC 4MHz±2%

            ◆ 低功耗:在休眠模式時為1uA

            ◆ 2K*14位片內ROM

            ◆ 一個安全位(代碼寄存器中)保護程序不被讀出

            ◆ 40*8bits片內寄存器組(SRAM,一般寄存器)

            ◆ 2組雙向標準I/O端口

            ◆ 3級用于子程序嵌套的堆棧

            ◆ 節能模式(SLEEP模式)

            ◆ 每個指令周期為兩個時鐘周期,99.9%的指令為單周期指令

            ◆ T-MODE型模式時,最多可形成91個按鍵

            ◆ M-MODE型時,最多可形成49(6*7+7)個按鍵

            ◆ 可以作為通用MCU使用

            ◆ 不可間接尋址

            ◆ 端口低電平變化喚醒及擴電源擴REM高電平喚醒

            ◆ 驅動可選(300mA~500mA)

            ◆ 省電解電容可選。



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